[1]
О. А. Хлыбов и Т. П. Любимова, «Влияние бегущего магнитного поля на тепломассообмен при выращивании полупроводниковых кристаллов методом погруженного нагревателя», ВМСС, т. 18, вып. 3, сс. 319–331, дек. 2025, doi: 10.7242/1999-6691/2025.18.3.23.